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第520章 发明MLC闪存技术（第2页）

“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层绝缘薄膜，这三层薄膜分别是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极高的电子陷阱密度，可以捕获电子，达到存储电荷的目的，带电就是1，不带电就是0，这是常识了。

我们都知道半导体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，我们在对单元进行写入操时，采用热电子注入法，将热电子注入沟道边缘的氮化硅，这样就完成了写入过程。

在擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注入沟道边缘的氮化硅，消除电荷，就完成了擦除。

接下来我说关键点，大家看图，由于氮化硅的绝缘性，热电子效应产生的电子只能被注入并限制在沟道边缘，这样一来，两侧沟道一旦全部带电就是11，全部不带电就是00，可我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会出现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺改变的前提下，让现有的flash-memory容量增加了一倍！”

胡一亭对着图片解释完之后，会议室里一片哗然，科学家工程师们先是面面相觑，随即手足无措，接着便开始坐立不安，最后全都开始叫好称赞起来，甚至有人开始鼓掌。

其中赵赫更是欢喜的抓耳挠腮，他已经被胡一亭勾引的失去了理智，急忙道：“胡总你太神了，你这是怎么想出来的！

这可是专利啊！

是重光的专利啊！

我们得赶紧实验！

赶紧写论文申请专利！”

曹玉暖也欢喜的鼓起了掌：“胡一亭你的设想太完美了！

我觉得可行！

真的可行！

这个路子怎么以前就没人想到呢！

你真是天才！

我就知道你是最棒的！”

胡一亭看着大家的兴奋劲，心想这哪是我想出来的啊，这是以色列saifun公司搞出来的sonos-falsh技术，被英特尔在97年9月正式公布并申请专利，同时应用到他们的闪存产品中的设计，自己不过是拾人牙慧罢了。

而且今后自己还将拿出另一种多电压控制栅极多层注入电荷技术的mcl产品，彻底统治mlc闪存专利市场，直到把闪存技术推向tlc和3d-nand制程！

这时奚龙山突然开口问道：“胡总，我有个问题，你这么一搞，的确让一个存储单位可以承载四个信息，比以前翻了一倍，可接下来怎么读取呢？”

胡一亭笑了起来：“这四种情况的电压是不同的呀，我们只要设计出一套解码电路，用于读取并解析数据就行，根据我的初步设计，可以把0.5v-2.5v设定为11，2.5v-4v设定为10，4v-5.5v设定为01，5.5v到6v设定为00，具体的解码电路设计我已经有了腹稿，这款芯片的初步设计我已经胸有成竹，上周我已经把slc芯片设计改良完成，本周我就把这款mlc的芯片设计拿出来，下周就能进行制程工艺流程的设计，最晚月底，我们就对这款mlc进行第一次工程流片！”

说完胡一亭意气风发，高高举起右手指着天花板：“我告诉大家！

重光将成为世界上第一家采用mlc技术的闪存设计企业！

重光的专利将永载史册！

而这项专利必将让我们得以摆脱目前所受的英特尔和东芝的闪存专利束缚，抵消我们需缴纳给国际闪存技术联盟的专利费！

并很有可能反过来赚他们的钱！”

奚龙山惊讶的合不拢嘴，上唇哆嗦着，轻声感慨道：“胡总……真神人也……”

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